納米實(shí)驗(yàn)用工作系統(tǒng)
??此組圖是我公司于2002年為清華大學(xué)從臺(tái)灣富士康進(jìn)口的納米實(shí)驗(yàn)用工作系統(tǒng)。該系統(tǒng)可在硅基底上制備氧化物、氮化物厚膜,在雙頻輔助下,可以大大提高沉積速率,達(dá)到每分鐘25納米。因此可用來(lái)制備微米及毫米厚度的絕緣層,其致密性,均勻性及附著性依然很好。此系統(tǒng)中還包含了一臺(tái)復(fù)合機(jī)型,由離子偶合等離子體刻蝕及雙頻反應(yīng)離子刻蝕機(jī)組成,目前國(guó)內(nèi)尚無(wú)同類產(chǎn)品。這兩種刻蝕方式的特點(diǎn)都是刻蝕速度快,可以達(dá)到每分鐘刻蝕450納米的速度。其中Helicon主要適合于刻蝕進(jìn)行硅的深刻蝕,而DFR則適用于氧化硅和氮化硅的深刻蝕。利用Helicon-雙頻刻蝕系統(tǒng),可以幫助制備一些三維的納米結(jié)構(gòu),從而構(gòu)筑更加豐富的納米器件。這套系統(tǒng)可在硅基底上制備多種金屬薄膜,薄膜厚度可以為幾個(gè)納米,利用此套系統(tǒng)在硅基底上沉積金屬催化劑薄層,可被用來(lái)制備納米材料。特別是蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)制備的薄膜和蒸發(fā)源的方向相關(guān),臺(tái)階陡直,后續(xù)的光刻過(guò)程可以直接采用駁離方法,無(wú)須刻蝕工藝。其中刻蝕機(jī)刻蝕速率慢,可以對(duì)刻蝕層的厚度進(jìn)行精確控制,有利于對(duì)很薄(幾納米或幾十納米厚)的金屬、光刻膠、氧化硅、氮化硅薄膜進(jìn)行刻蝕,制備納米器件所需的各種圖形,開展納米電子學(xué)的基礎(chǔ)研究。
